Track System 트랙장비
용도
Photo-lithography process 용
사양
- Substrate Size : 6" to 8" round, 4" to 6" square
- Substrate Handing : Fully automatic, open cassette
- Substrate Processing : Fully programmable random access cluster
- Spin Speed control : ±1 rpm
- Coater # of Dispense Lines : 4 standard
Mask Aligner 노광기
용도
Photo-lithography process 용
사양
- substrate size : piece, 4, 6, 8 inch
- Mask size : 5, 7, 9 inch
- Top/Bottom side alignment
- λ: 350/405 nm
AAO System 양극 알루미늄 산화 장치
용도
나노 패터닝을 위한 나노 템플레이트 제작
사양
- Process bath (AAO)
- Operating Temperature: 2~50℃
Accuracy < ±1℃
양극화 음극간의 거리 조절 가능 (3~20cm)
기본 제거 기능 / Teflon heater
- Process bath (Widening)
- Operating Temperature: 2~50℃
Accuracy < ±1℃
양극화 음극간의 거리 조절 가능 (3~20cm)
기본 제거 기능 / Teflon heater
- Process bath (Etching)
- Operating Temperature: RT~70℃
Accuracy < ±1℃
- Process Cup (AAO)
- Operating Temperature: RT~50℃
Accuracy < ±1℃
- QDR bath
- Operating Temperature: RT
N2, DI gun
Spin Coater 회전 도포기
용도
Photo-lithography process 용
사양
- Max speed : 6 inch (3,000 RPM), 4 inch (5,000 RPM)
- Substrate size : 3, 4, 6 inch
Track System 트랙장비
용도
Photo-lithography process 용
사양
- Substrate Size : 6" to 8" round, 4" to 6" square
- Substrate Handing : Fully automatic, open cassette
- Substrate Processing : Fully programmable random access cluster
- Spin Speed control : ±1 rpm
- Coater # of Dispense Lines : 4 standard
Mask Aligner 노광기
용도
Photo-lithography process 용
사양
- substrate size : piece, 4, 6, 8 inch
- Mask size : 5, 7, 9 inch
- Top/Bottom side alignment
- λ: 350/405 nm
AAO System 양극 알루미늄 산화 장치
용도
나노 패터닝을 위한 나노 템플레이트 제작
사양
- Process bath (AAO)
- Operating Temperature: 2~50℃
Accuracy < ±1℃
양극화 음극간의 거리 조절 가능 (3~20cm)
기본 제거 기능 / Teflon heater
- Process bath (Widening)
- Operating Temperature: 2~50℃
Accuracy < ±1℃
양극화 음극간의 거리 조절 가능 (3~20cm)
기본 제거 기능 / Teflon heater
- Process bath (Etching)
- Operating Temperature: RT~70℃
Accuracy < ±1℃
- Process Cup (AAO)
- Operating Temperature: RT~50℃
Accuracy < ±1℃
- QDR bath
- Operating Temperature: RT
N2, DI gun
Spin Coater 회전 도포기
용도
Photo-lithography process 용
사양
- Max speed : 6 inch (3,000 RPM), 4 inch (5,000 RPM)
- Substrate size : 3, 4, 6 inch
